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最近，面目利用化学气相沉积和热硒化方法，面目可在MoS2单层中用Se原子完全替代顶层S原子，从而成功合成了2H相的双面神（Janus）MoSSe单层，这种JanusMoSSe的原子布局破坏了离面的结构对称性，并导致了垂直方向的偶极矩。全非科学家们的研究结果为JanusTMD材料在能量转换与收集器件和设备中的应用提供了一些新的见解。

【总结】对于JanusTMD双层，但归保持层间距离不变的面内层间滑动可以显着提高离面压电性。【引言】作为典型的二维（2D）材料，玉米过渡金属硫族化合物（TMD）是半导体性的，在场效应晶体管，超薄光电探测和发光器件中具有广泛的应用潜力。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，面目投稿邮箱[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip.。

全非图7.JanusTMD双层摩擦压电的工作原理示意图。单胞的晶格矢量a1和a2用红线标出，但归d表示表面Se和底部S层之间的层间距离。

根据JanusTMD双层所展示的摩擦压电性，玉米科学家们提出了一种压滑策略来构建具有高功率密度的纳米发电机。

然而，面目到目前为止人们还很少考虑将JanusTMD用于纳米发电机，其发电的可行性和机制仍不清楚。全非1990年获得硕士学位后继续在校攻读博士学位。

但归2014年度中国科学院杰出科技成就奖。玉米2015年获第三届中国国际纳米科学技术会议奖。

坦白地说，面目尽管其合成是在相对较低的温度下进行的，但目前其商业化的瓶颈在于合成效率低和成本高。1993年6月回北京大学任教，全非同年晋升教授。